Dr. Öğr. Üyesi Abdullah AKKAYA
Mucur Meslek Yüksekokulu / Kimya Ve Kimyasal İşleme Teknolojileri

Sunumlar/Presentations

Sözlü Sunumları;

  1. *Akkaya A.ve Ayyıldız E., “Electrical characteristics and Depth profile study on Ti/Al bilayer Ohmic contacts to AlGaN/GaN”, 2nd International Congress on Semiconductor Materials and Devices (ICSMD 2018), Ardahan, Türkiye, 28-30 Ağustos 2018.
  2. Akkaya A., Boyarbay Kantar B., *Güneri E. ve Ayyıldız E., “Döndürme Kaplama Tekniğiyle Elde Edilen Carmine İnce Filminlerin Optik ve Morfolojik Özellikleri” III. Uluslararası Mesleki ve Teknik Bilimler Kongresi (UMTEB III), Gaziantep, Türkiye, 21-22 Haziran 2018.
  3. Temel E., *Akkaya A., Taşdoğan A., Ağar E., “Structural and spectroscopic analysis of (E)-2-((2,3-dihydroxybenzylidene)amino)-3a,7a-dihydro-1H-isoindole-1,3(2H)-dione”, 3rd International Turkish Congress on Molecular Spectroscopy (TURCMOS 2017), Bodrum/Muğla, Türkiye, 26-29 Ağustos 2017.
  4. Akgün B., Sökmen M., *Yavuzkan Y., H. Cüce and Akkaya A., “Obtaining a Precious Metal (Gold) from e-Waste” International Conference on Civil and Environmental Engineering ( ICOCEE   –   CAPPADOCIA   2017), Nevşehir, Türkiye, 8 – 10 Mayıs 2017.
  5. *Akkaya A., Ayyıldız E., “Effects of Post Annealing on I-V-T Characteristics of (Ni/Au)/Al0.09Ga0.91N Schottky Barrier Diodes, International Physics Conference at the Anatoilan Peak (IPCAP 2016), Erzurum\Türkiye, 25-27 Şubat 2016.
  6. *Akkaya A., Ayyıldız E., "Effect of Post Annealing on Electrical/Chemical Properties of (Ni/Au)/GaN/Al0.20Ga0.80N Schottky Contacts", International Semiconductor Science and Technology Conference 2015, Aydın/Türkiye, 11-13 Mayıs 2015.
  7. *Esmer L., Akkaya A., Boyarbay B., Ayyıldız E., "Effects Of Thermal Annealing On Ni/Au Based Schottky Contacts On n-GaN", International Semiconductor Science and Technology Conference 2014, İstanbul/Türkiye, 13-15 Ocak 2014.
  8. Esmer L., Akkaya A., Çetin H., Ayyıldız E., "Ni/GaN Schottky Kontakların Karakteristik Parametrelerinin Akım-Gerilim Ölçümleriyle İncelenmesi", 29. Uluslararası Fizik Kongresi, Bodrum/Türkiye, 5-8 Eylül 2012.
  9. *Akkaya A., Çetin H., Ayyıldız E., Dede M., "Ni/AlGaN Schottky Engel Diyotlarının Sıcaklığa Bağlı Akım-Gerilim Ölçümlerin Değerlendirilmesi", 29. Uluslararası Fizik Kongresi, Bodrum/Türkiye, 5-8 Eylül 2012.
  10. *Boyarbay B., Akkaya A., Çetin H., Ayyıldız E., "Conductance Characteristics Of Graphene Field Effect Transistor", 28. Uluslararası Fizik Kongresi, Bodrum/Türkiye, 6-9 Eylül 2011.

 

Poster Sunumları;

  1. Keskin M., Akkaya A., Çetin H., Uygun Öksüz A. ve *Ayyıldız E., “On the Electrical Characterization of Au/WO3:PEDOT/P-Si Hybrid Device”, 3rd International Conference On Advances in Natural & Applied Science (ICANAS 2018), Antalya, Türkiye, 9-12 Mayıs 2018.
  2. *Akkaya A., Güneri E., Soylu M.Ç., Çetin H. ve Ayyıldız E., “Effect of RF Power and Sputtering Background Pressure on Structural Properties of a:Si”, 2nd International Congress on Semiconductor Materials and Devices (ICSMD 2018), Ardahan, Türkiye, 28-30 Ağustos 2018.
  3. Akkaya A., *Temel E., Meral S., Alaman Ağar A., “Crystal structure, Hirshfeld surfaces and DFT computation of (E)-2-(((5-nitrothiophen-2-yl)methylene)amino)benzonitrile”, 3rd International Turkish Congress on Molecular Spectroscopy (TURCMOS 2017), Bodrum/Muğla, Türkiye, 26-29 Ağustos 2017.
  4. Ayyıldız E., *Akkaya A., “C-f Characteristics and Interface State Density Distribution of (Ni/Au)/Al0.09Ga0.91N Schottky Barrier Diodes, International Physics Conference at the Anatoilan Peak (IPCAP 2016), Erzurum\Türkiye, 25-27 Şubat 2016.
  5. *Akkaya A., Kahveci O., Boyarbay B., Ayyıldız E., "Pirana Çözeltisinin Au/n-GaAs Schottky Diyotun Elektriksel Parametreleri Üzerine Etkisi", 21. Yoğun Madde Fiziği Ankara Toplantısı, Ankara/Türkiye, 25 Aralık 2015.
  6. *Akkaya A., Ayyıldız E., " Effects of Post Annealing on Electrical Properties of (Ni/Au)/GaN/Al0.20Ga0.80N Schottky Contacts", International Semiconductor Science and Technology Conference 2015, Aydın/Türkiye, 11-13 Mayıs 2015.
  7. *Akkaya A., G. Ertuğrul, Ayyıldız E., " Electrical Characterization of Pd/Al0.20Ga0.80N Schottky Barrier Diodes", International Semiconductor Science and Technology Conference 2015, Aydın/Türkiye, 11-13 Mayıs 2015.
  8. *Akkaya A., Esmer L., Karaaslan T., Çetin H., Ayyıldız E., "Electrical Characterization Of Ni/Al0.09Ga0.91N Schottky Barrier Diodes As A Function Of Temperature", International Semiconductor Science and Technology Conference 2014, İstanbul/Türkiye, 13-15 Ocak 2014.
  9. *Akkaya A., Erşahin F., Ağar E., Şenel İ., Büyükgüngör O., “Structural Properties of (Z)-N-(2-((5-methoxy-6-oxocyclohexa-2,4-dienylidene)methylamino)ethyl)-4-methylbenzene sulfonamide”, III. Ulusal Kristalografi Toplantısı, İzmir/Türkiye, 7–9 Haziran 2012.
  10. *Akkaya A., Ayyıldız E., "C-V-T Ölçümleri İçin E4980A LCR Metrenin Programlanması Ve Verilerin Değerlendirilmesi", 29. Uluslararası Fizik Kongresi, Bodrum/Türkiye, 5-8 Eylül 2012.
  11. *Esmer L., Akkaya A., Dönmez M., Ayyıldız E., "Mo Schottky Metalinin Yüzey Oksidasyonuna Bağlı Olarak Mo/GaAs Schottky Diyotlarının I-V Karakteristiklerindeki Değişimin İncelenmesi", 29. Uluslararası Fizik Kongresi, Bodrum/Türkiye, 5-8 Eylül 2012.
  12. *Boyarbay B., Akkaya A., Çetin H., Güneri E., Kariper A., Ayyıldız E., "Electrical Characterization Of Au/Carmine/n-GaAs Schottky Barrier Diodes", MSM XVII Microscopy of Semiconducting Materials 2011, İngiltere, 4-7 Nisan 2011.
  13. *Boyarbay B., Akkaya A., Çetin H., Güneri E., Ayyıldız E., "The Determination Of The Interface State-Density Distribution Of The Au/Carmine/N-GaAs Metal-Organic Layer-Semiconductor Structures", UK Semiconductors 2011, İngiltere, 6-7 Temmuz 2011.
  14. *Akkaya A., Boyarbay B., Çetin H., Ayyıldız E., "Schottky Engel Diyotlarda Kapasite-Gerilim (C-V), Kapasite-Frekans (C-F) Ölçümleri Ve Temel Hesaplar İçin VEE Pro Agilent E4980 LCR Metre Yazılımı (SeCLaS)", 27. Uluslararası Fizik Kongresi, İstanbul/Türkiye, 14-17 Eylül 2010.
  15. Yıldırım V., Boyarbay B., *Akkaya A., Çetin H., Ayyıldız E., "Schottky Diyot Parametreleri Üzerine Engel Yükseklik Dağılımının Etkisi", 27. Uluslararası Fizik Kongresi, İstanbul/Türkiye, 14-17 Eylül 2010.
  16. *Akkaya A., Boyarbay B., Çetin H., Ayyıldız E., "Schottky Diyotlarda Kapasite-Gerilim (C-V) Ve Kapasite-Frekans (C-F) Ölçümleri İçin VEE Pro ile Agilent E4980 LCR Metrenin Programlanması", 17. Yoğun Madde Fiziği Ankara Toplantısı, Ankara/Türkiye, 5 Kasım 2010.
  17. *Boyarbay B., Akkaya A., Çetin H., Yıldızlı K., Ayyıldız E., "SiOxNy Arayüzey Tabakalı p-Si Schottky Engel Diyotlarının Admitans Ölçümleriyle Arayüzey Hal Yoğunluk Dağılımlarının Belirlenmesi", 17. Yoğun Madde Fiziği Ankara Toplantısı, Ankara/Türkiye, 5 Kasım 2010.

Ahi Evran Üniversitesi
Bilgisayar Bilimleri Araştırma ve Uygulama Merkezi © 2015